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J-GLOBAL ID：201602272111649890   Reference number：16A1111800

High-Quality AgGaTe2 Layers on Si Substrates with Ag2Te Buffer Layers

Ag₂Teバッファ層を有するSi基板上の高品質AgGaTe₂層

Author (3)： Uruno Aya (Department of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kobayashi Masakazu (Department of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kobayashi Masakazu (Kagami Memorial Research Institute for Materials Science and Technology, Waseda University, Tokyo, Japan)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 45  Issue： 9  Page： 4692-4696  Publication year： Sep. 2016 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： telluride(chalcogenide) ,  silver compound ,  buffer layer ,  sublimation ,  *solar cell ,  heterojunction ,  chalcopyrite ,  *compound semiconductor
Semi thesaurus term： silver telluride ,  *Compound Solar Cell ,  heterojunction solar cell ,  *semiconducting ternary compounds

Author keywords (4)： Chalcopyrite ,  AgGaTe2 ,  close-spaced sublimation ,  solar cell

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (3)： バッファ層 ,  Si基板 ,  高品質