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J-GLOBAL ID：201603000073633452

成膜装置

Inventor： 竹内 希 ,  中谷内 裕徳
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (4)： 森下 賢樹 ,  村田 雄祐 ,  三木 友由 ,  真家 大樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014224440
Publication number (International publication number)：2016088802
Application date： Nov. 04, 2014
Publication date： May. 23, 2016
Summary：

【課題】DLC等をはじめとする薄膜を高速に形成可能な成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置1は、ターゲット4上に薄膜を形成する。容器10は、有機溶媒4を収容するとともに、有機溶媒2中にターゲット4を支持する。アノード電極20は、容器10内の有機溶媒4中に設けられる。電源30は、アノード電極20とターゲット4の間に、アノード電極側を正とする直流成分を含む高電圧を印加する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

有機溶媒を収容するとともに、前記有機溶媒中にターゲットを支持する容器と、 前記容器内の前記有機溶媒中に設けられたアノード電極と、 前記アノード電極と前記ターゲットの間に、前記アノード電極側を正とする直流成分を含む高電圧を印加する電源と、 を備えることを特徴とする成膜装置。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101Z

F-Term (7)：

4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA49 ,  4G146BC16 ,  4G146BC18