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J-GLOBAL ID：201603001259672837

太陽電池およびその太陽電池の製造方法

Inventor： 奥 健夫 ,  図師 將仁 ,  鈴木 厚志 ,  鈴木 康平 ,  今西 悠馬 ,  秋山 毅 ,  岩田 太志 ,  木田 智康
Applicant, Patent owner： 公立大学法人 滋賀県立大学
Agent (5)： 楠本 高義 ,  中越 貴宣 ,  三雲 悟志 ,  森 優 ,  浅野 哲平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015030358
Publication number (International publication number)：2016051891
Application date： Feb. 19, 2015
Publication date： Apr. 11, 2016
Summary：

【課題】安価に製造でき、変換効率を高めた太陽電池およびその製造方法を提供する【解決手段】太陽電池10は、基板12の上に第1電極14、電子輸送層16、光電変換層18、ペロブスカイト構造の化合物の層20、正孔輸送層22、第2電極24が順番に積層されている。光電変換層18は、n型半導体とp型半導体とが接合された層である。n型半導体がメソポーラスになっており、不規則な形状の隙間を有する。その隙間にp型半導体が入り込んでいる。その製造において、ペロブスカイト構造の化合物の溶液を複数回スピンコートする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板を準備する工程と、 前記基板の一面上に第1電極を形成する工程と、 前記第1電極の上に電子輸送層を形成する工程と、 前記電子輸送層の上にn型半導体をメソポーラスに形成する工程と、 前記メソポーラスに形成されたn型半導体に存在する隙間にペロブスカイト構造の化合物を形成し、光電変換層を形成する工程と、 前記光電変換層の上にペロブスカイト構造の化合物の層を形成する工程と、 前記ペロブスカイト構造の化合物の層の上に正孔輸送層を形成する工程と、 前記正孔輸送層の上に第2電極を形成する工程と、 を備えた太陽電池の製造方法。

IPC (2)：

H01L 51/46 ,  H01L 51/44

FI (3)：

H01L31/04 154Z ,  H01L31/04 112Z ,  H01L31/04 166

F-Term (4)：

5F151AA11 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 酸化チタン微粒子の作製方法及び光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-052107   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 光吸収構造体が備えられた太陽電池
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2015-531854   Applicant：コリアリサーチインスティテュートオブケミカルテクノロジー