光吸収構造体が備えられた太陽電池

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：正林真之 , 林一好 , 芝哲央 , 岩池満
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2015531854
Publication number (International publication number)：2015529982
Application date： Sep. 12, 2013
Publication date： Oct. 08, 2015
Summary：

本発明は、太陽電池に関し、より詳細に、第1電極と、第1電極上に位置し、光吸収体が取り込まれた複合層と、前記複合層の上部に位置し、光吸収体からなる光吸収構造体と、前記光吸収構造体の上部に位置する正孔伝導層と、前記正孔伝導層の上部に位置する第2電極と、を含む太陽電池に関する。【選択図】図16

Claim (excerpt)：

第1電極と、第1電極上に位置し、光吸収体が取り込まれた複合層と、前記複合層の上部に位置し、光吸収体からなる光吸収構造体と、前記光吸収構造体の上部に位置する正孔伝導層と、前記正孔伝導層の上部に位置する第2電極と、を含む太陽電池。

IPC (1)：

H01L 51/44

FI (1)：

H01L31/04 112Z

F-Term (1)：

5F151AA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-202729 Applicant：三菱製紙株式会社
増感錯体、その製造方法、それを備えた無機/有機ハイブリッド型半導性材料、及び、該材料を備えた太陽電池
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-546489 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
有機太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-241057 Applicant：国立大学法人金沢大学, 株式会社日本触媒

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

LEAD IODIDE PEROVSKITE SENSITIZED ALL-SOLID-STATE SUBMICRON THIN FILM 以下省略
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