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J-GLOBAL ID：201603001391354097

遷移金属ニクタイド化合物及びその製造法

Inventor： 細野 秀雄 ,  松石 聡 ,  雲見 日出也
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015027978
Publication number (International publication number)：2016150861
Application date： Feb. 16, 2015
Publication date： Aug. 22, 2016
Summary：

【課題】転移温度が室温以上の反強磁性と金属伝導性を併せ持ち、構成元素の部分置換により転移温度の制御等が可能な遍歴電子反強磁性化合物及びその製造方法の提供。【解決手段】化学式RETM2PnN(REはY,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luから選ばれる希土類元素の少なくとも1種類、TMはCr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Ptから選ばれる遷移金属元素の少なくとも1種類,PnはP,As,Sb,Biから選ばれるニクトゲン元素の少なくとも1種類、Nは窒素)で表される遷移金属ニクタイド化合物であり、RE:TM:Pn:N=1:2:1:1の原子比の割合で原料混合し、1〜10GPaの高圧下、800〜1500°Cに加熱焼結して得られる斜方晶系の空間群Cmcmに属する結晶からなる遍歴電子反強磁性化合物。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

化学式RETM2PnN (ただし、REは、長周期型周期表のY, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd,Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Luから選ばれる希土類元素の少なくとも1種類、TMは、Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Ptから選ばれる遷移金属元素の少なくとも1種類、Pnは、P, As, Sb, Biから選ばれるニクトゲン元素の少なくとも1種類、Nは窒素)で表される遷移金属ニクタイド化合物。

IPC (3)：

C01B 21/00 ,  H01F 1/14 ,  H01B 12/00

FI (3)：

C01B21/00 ,  H01F1/14 Z ,  H01B12/00

F-Term (9)：

5E041AA11 ,  5E041AA17 ,  5E041AA19 ,  5E041BD01 ,  5E041CA10 ,  5E041NN18 ,  5G321AA98 ,  5G321DD01 ,  5G321DD99