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J-GLOBAL ID:201603005313087533

グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 池田 憲保 ,  佐々木 敬
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2012541920
Patent number:5967486
Application date: Nov. 02, 2011
Claim (excerpt):
【請求項1】 (a)金属層を炭化物層に接触させ、前記金属層および前記炭化物層を加熱することで前記金属層中に前記炭化物層中の炭素を溶解させ、 (b)前記金属層および前記炭化物層を冷却することで前記金属層中の前記炭素を前記炭化物層の表面にグラフェンとして析出させる、グラフェン基板の製造方法。
IPC (6):
C01B 31/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/208 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01)
FI (6):
C01B 31/02 101 Z ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 E ,  H01L 29/28 310 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
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