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J-GLOBAL ID:201603005313087533
グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
池田 憲保
, 佐々木 敬
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2012541920
Patent number:5967486
Application date: Nov. 02, 2011
Claim (excerpt):
【請求項1】 (a)金属層を炭化物層に接触させ、前記金属層および前記炭化物層を加熱することで前記金属層中に前記炭化物層中の炭素を溶解させ、
(b)前記金属層および前記炭化物層を冷却することで前記金属層中の前記炭素を前記炭化物層の表面にグラフェンとして析出させる、グラフェン基板の製造方法。
IPC (6):
C01B 31/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/208 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/40 ( 200 6.01)
FI (6):
C01B 31/02 101 Z
, H01L 21/208 Z
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/28 250 E
, H01L 29/28 310 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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グラフェン被覆部材とその製造方法。
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-261875
Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構
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グラフェンシート及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-277065
Applicant:三星電子株式会社
Article cited by the Patent:
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