トンネル電界効果トランジスタの製造方法及びトンネル電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：塩田伸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012050327
Publication number (International publication number)：2013187291
Patent number：5910965
Application date： Mar. 07, 2012
Publication date： Sep. 19, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】半導体基板に対し、その表面側から不純物物質をイオン注入し、前記不純物物質を活性化アニールにより活性化させてソース領域及びドレイン領域を形成するソース領域-ドレイン領域形成工程と、前記半導体基板上に前記半導体基板を形成する半導体材料と同じ半導体材料を堆積させ、前記ソース領域の少なくとも一部と接合するように前記半導体材料のエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程と、前記エピタキシャル成長層上に、該エピタキシャル成長層を介して一部が前記ソース領域の少なくとも一部と対向配置されるようにゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜上に、前記エピタキシャル成長層及び前記ゲート絶縁膜を介して一部が前記ソース領域の少なくとも一部と対向配置されるようにゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を含み、前記ソース領域-ドレイン領域形成工程における前記活性化アニールの温度条件が低くとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域にイオン注入された前記不純物物質が前記半導体基板中に拡散する温度とされ、前記エピタキシャル成長層形成工程における前記半導体材料の堆積がCVD法により実施され、前記CVD法の温度条件が高くとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域にイオン注入された前記不純物物質が前記半導体基板中に拡散しない温度とされることを特徴とするトンネル電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/8238 ( 200 6.01) , H01L 27/092 ( 200 6.01) , H01L 29/66 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/78 301 J , H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 321 E , H01L 29/66 T , H01L 29/78 622

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

トンネルトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265749 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (1)

トンネルトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265749 Applicant：日本電気株式会社

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