マルチフェロイック素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：木村満 , 佐藤浩義 , 毛受隆典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014245314
Publication number (International publication number)：2016111102
Application date： Dec. 03, 2014
Publication date： Jun. 20, 2016
Summary：

【課題】より高感度に、外部からの作用を感知できるマルチフェロイック素子を提供する。【解決手段】マルチフェロイック素子1は、一対の電極(基板層11、電極層13)と、一対の電極(基板層11、電極層13)の間に設けられたマルチフェロイック層12と、を備え、マルチフェロイック層12の厚さは、当該マルチフェロイック層12が有する少なくとも2以上の異なる強秩序状態が、外部からの作用によって当該マルチフェロイック層12を流れるトンネル電流により変化する厚さに形成されている。これにより、マルチフェロイック素子1は、外部からの作用によって電気抵抗が顕著に変化し、外部からの作用を高感度に感知できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一対の電極と、前記一対の電極の間に設けられたマルチフェロイック層と、を備え、前記マルチフェロイック層の厚さは、当該マルチフェロイック層が有する少なくとも2以上の異なる強秩序状態が、外部からの作用によって当該マルチフェロイック層を流れるトンネル電流により変化する厚さに形成されている、マルチフェロイック素子。

IPC (2)：

H01L 29/82 , G01R 33/09

FI (2)：

H01L29/82 Z , G01R33/06 R

F-Term (16)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5F092AA01 , 5F092AB01 , 5F092AB06 , 5F092AC30 , 5F092AD03 , 5F092BD03 , 5F092BD06 , 5F092BD13 , 5F092BD14 , 5F092BE02 , 5F092BE11 , 5F092BE21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-179119 Applicant：国立大学法人東北大学
スピン注入型メモリセル構造および方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2013-529121 Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.
マルチフェロイックナノスケール薄膜材料、その簡便な合成方法および室温における磁気電気結合
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2012-511942 Applicant：ノースロップグラマンシステムズコーポレイション, ザリサーチファンデーションオブザシティユニバーシティオブニューヨーク

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