マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平山一幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012179119
Publication number (International publication number)：2014038894
Application date： Aug. 11, 2012
Publication date： Feb. 27, 2014
Summary：

【課題】キュリー温度が室温以上で磁化の大きいマルチフェロイック薄膜及びマルチフェロイック薄膜を用いたデバイスを提供する。【解決手段】マルチフェロイック薄膜は、Bi(Fe1-xCox)O3薄膜(ここで組成xは、0<x<1)からなり、厚さが1.8nm以下で、かつ、室温において、30emu/cm3以上の磁化と100μC/cm2以上の自発分極とを有している。Bi(Fe1-xCox)O3薄膜は、正方晶、菱面体晶、単斜晶の何れかの結晶構造を有している。Bi(Fe1-xCox)O3薄膜は、Bi(Fe0.9Co0.1)O3からなる。マルチフェロイック薄膜を用いたデバイスとして、スピンフィルタ素子1は、非磁性層2からなる第1の電極2aと、第1の電極2a上に形成されるBi(Fe1-xCox)O3からなるマルチフェロイック薄膜3と、該マルチフェロイック薄膜3上の強磁性層4からなる第2の電極4aと、を含んで構成される。【選択図】図14

Claim (excerpt)：

Bi(Fe1-xCox)O3薄膜(ここで組成xは、0<x<1)からなり、厚さが1.8nm以下で、かつ、室温において、30emu/cm3以上の磁化と100μC/cm2以上の自発分極とを有している、マルチフェロイック薄膜。

IPC (7)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G02F 1/01 , G02F 1/09 , H01L 29/82

FI (7)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L27/10 447 , G02F1/01 A , G02F1/09 501 , H01L29/82 Z

F-Term (45)：

2H079AA02 , 2H079AA03 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079CA05 , 2H079DA03 , 2H079DA13 , 2H079DA22 , 2H079EB02 , 2H079EB18 , 4M119AA01 , 4M119AA03 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC09 , 4M119CC10 , 4M119DD05 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 5F092AA01 , 5F092AA02 , 5F092AA04 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AB10 , 5F092AC12 , 5F092AC30 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD24 , 5F092AD26 , 5F092BB03 , 5F092BB05 , 5F092BB45 , 5F092BB51 , 5F092BE02 , 5F092BE11 , 5F092BE12 , 5F092BE27 , 5F092CA02 , 5F092GA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

磁気発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-344940 Applicant：株式会社日立製作所
磁気デバイスおよびこれを用いた磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-340591 Applicant：松下電器産業株式会社
強誘電体薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-218892 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学, 国立大学法人京都大学

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Fabrication of multiferroic Bi(Fe0.9Co0.1)O3 epitaxial films grown on SrTiO3 (100) substrates
マルチフェロイック酸化物CoドープBiFeO3の電子構造と磁気特性の第一原理計算 First-principles

Return to Previous Page