Pat
J-GLOBAL ID：201603008935937177

画像処理方法、制御プログラムおよび画像処理装置

Inventor：
津村 治郎

About 津村 治郎

, 
藤本 博己

About 藤本 博己


Applicant, Patent owner：
株式会社SCREENホールディングス

About 株式会社SCREENホールディングス


Agent (3)： 振角 正一 ,  梁瀬 右司 ,  大西 一正
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014265039
Publication number (International publication number)：2016127342
Application date： Dec. 26, 2014
Publication date： Jul. 11, 2016
Summary：
【課題】三次元培養された細胞等に好適な全焦点画像の作成技術を提供する。【解決手段】撮像方向に沿った方向に焦点位置を互いに異ならせた複数の原画像を取得する画像取得工程(ステップS201)と、複数の原画像の各々において、当該原画像を構成する画素のエッジ強度を算出し、複数の原画像間で同一位置に対応する画素を比較して最もエッジ強度が高い画素を選出する画素選出工程(ステップS202〜S205)と、選出された画素のうち比較的高いエッジ強度を有するものを輪郭画素として、該輪郭画素の位置を輪郭の位置とする領域内に、原画像のいずれかの当該領域に対応する位置から抽出された画素を配した合成画像を作成する画像合成工程(ステップS106〜S210)とを備え、輪郭で囲まれる一の領域について、画素選出工程で選出された画素を当該領域内に最も多く含む一の原画像から抽出された画素を配する。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
培地中で三次元培養された細胞を含む試料の画像を作成する画像処理方法において、 撮像方向に沿った方向に焦点位置を互いに異ならせて前記試料を撮像した複数の原画像を取得する画像取得工程と、 前記複数の原画像の各々において、当該原画像を構成する画素のエッジ強度を算出し、前記複数の原画像間で同一位置に対応する画素を比較して最もエッジ強度が高い画素を選出する画素選出工程と、 選出された画素のうち比較的高いエッジ強度を有するものを輪郭画素として、該輪郭画素の位置を輪郭の位置とする領域内に、前記原画像のいずれかの当該領域に対応する位置から抽出された画素を配した合成画像を作成する画像合成工程と を備え、 前記画像合成工程では、前記輪郭で囲まれる一の領域について、前記画素選出工程において選出された画素を当該領域内に最も多く含む一の前記原画像から抽出された画素を配する画像処理方法。
IPC (9)：
H04N 5/232 ,  H04N 5/225 ,  G03B 15/00 ,  G03B 7/091 ,  G02B 7/36 ,  G02B 7/28 ,  G03B 13/36 ,  G06T 1/00 ,  G06T 5/50
FI (10)：
H04N5/232 Z ,  H04N5/225 C ,  G03B15/00 U ,  G03B15/00 H ,  G03B7/091 ,  G02B7/36 ,  G02B7/28 H ,  G03B13/36 ,  G06T1/00 295 ,  G06T5/50
F-Term (40)：
2H002GA06 ,  2H002GA20 ,  2H002GA23 ,  2H002GA35 ,  2H002JA11 ,  2H011AA06 ,  2H011BA37 ,  2H011BB06 ,  2H151AA00 ,  2H151BA47 ,  2H151DD02 ,  2H151DD09 ,  2H151DD20 ,  5B057AA10 ,  5B057BA15 ,  5B057BA19 ,  5B057CA08 ,  5B057CA12 ,  5B057CA16 ,  5B057CB08 ,  5B057CB12 ,  5B057CB16 ,  5B057CE08 ,  5B057DA08 ,  5B057DB02 ,  5B057DB09 ,  5B057DC16 ,  5B057DC32 ,  5B057DC36 ,  5C122DA30 ,  5C122EA37 ,  5C122EA61 ,  5C122FA09 ,  5C122FH03 ,  5C122FH19 ,  5C122FH23 ,  5C122HA86 ,  5C122HA88 ,  5C122HB01 ,  5C122HB10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM