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J-GLOBAL ID:201603009121777175

ガス分離膜、ガス分離膜モジュール及びガス分離装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015146305
Publication number (International publication number):2016163869
Application date: Jul. 24, 2015
Publication date: Sep. 08, 2016
Summary:
【課題】高圧下におけるガス透過性及びガス分離選択性が高く、耐曲げ性が良好なガス分離膜の提供。【解決手段】多孔質支持体A4の上に位置するシロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層3を有し、シロキサン結合を有する化合物が式(2)又は式(3)で表される繰り返し単位を有し、シロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層が多孔質支持体B中に存在する領域GLiと多孔質支持体Bの上に存在する領域GLeとを含み、GLeの厚みが50〜1000nm、GLiの厚みが20nm以上、かつ、GLeの厚みの10〜350%、GLe表層20nm中とGLi表層20nm中の式(3)で表される繰り返し単位の含有率との差が30〜90%であるガス分離膜。【選択図】図7
Claim (excerpt):
多孔質支持体Aと、 前記多孔質支持体Aの上に位置するシロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層とを有するガス分離膜であって、 前記シロキサン結合を有する化合物が、少なくとも下記一般式(2)で表される繰り返し単位または下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有し、 前記シロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層が、多孔質支持体B中に存在する領域GLiと前記多孔質支持体Bの上に存在する領域GLeとを含み、 前記GLeの厚みが50〜1000nmであり、 前記GLiの厚みが20nm以上であり、かつ、前記GLeの厚みの10〜350%であり、 前記GLe表層20nm中の前記一般式(3)で表される繰り返し単位の含有率と、前記GLi表層20nm中の前記一般式(3)で表される繰り返し単位の含有率との差が30〜90%であるガス分離膜;
IPC (6):
B01D 71/70 ,  B01D 69/12 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/00 ,  B01D 69/10 ,  C08J 7/04
FI (6):
B01D71/70 500 ,  B01D69/12 ,  B01D53/22 ,  B01D69/00 ,  B01D69/10 ,  C08J7/04 P
F-Term (46):
4D006GA41 ,  4D006HA01 ,  4D006HA21 ,  4D006HA41 ,  4D006HA61 ,  4D006MA01 ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MA08 ,  4D006MA09 ,  4D006MA31 ,  4D006MB03 ,  4D006MB04 ,  4D006MB16 ,  4D006MC18 ,  4D006MC22 ,  4D006MC23 ,  4D006MC24 ,  4D006MC27 ,  4D006MC28 ,  4D006MC29 ,  4D006MC30 ,  4D006MC39 ,  4D006MC45 ,  4D006MC46 ,  4D006MC53 ,  4D006MC54 ,  4D006MC57 ,  4D006MC58X ,  4D006MC62 ,  4D006MC63 ,  4D006MC65X ,  4D006MC79 ,  4D006NA42 ,  4D006NA43 ,  4D006NA46 ,  4D006NA49 ,  4D006PA01 ,  4D006PB18 ,  4D006PB64 ,  4D006PB66 ,  4D006PB68 ,  4F006AA22 ,  4F006AB39 ,  4F006BA05 ,  4F006DA04
Patent cited by the Patent:
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent:
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