薄膜ソーラーセル用の銅-インジウム-ガリウム-カルコゲナイド・ナノ粒子前駆体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人丸山国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2015560800
Publication number (International publication number)：2016521232
Application date： Mar. 03, 2014
Publication date： Jul. 21, 2016
Summary：

【解決手段】IUPACの11族イオン、13族イオン、及び硫黄イオンを含むナノ粒子が、有機溶媒に金属塩とアルカンチオールを加え、加熱して反応を促進することで合成される。ナノ粒子は、200°Cの低い温度で形成される。形状を改善しサイズ分布を狭めるために、ナノ粒子を反応温度より低い温度(通常、約40°C低い)で一定時間熱処理してよい。反応終了後に、非溶媒を添加し、トルエン、クロロホルム、及びヘキサンなどの有機溶媒に再分散させてナノ粒子を分離してナノ粒子インクを形成してよい。最終インク粘度を調整するためにこの反応液に添加物を加えてよい。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

実験式CuInxGa1-xS2(式中、0<x<1)で表される一群のナノ粒子を含む組成物であって、各ナノ粒子は、そのナノ粒子の表面に結合している有機リガンド層を備えており、前記有機リガンド層は、実質的にチオールからなる、組成物。

IPC (4)：

C01G 15/00 , C09K 11/62 , C09K 11/08 , H01L 31/025

FI (7)：

C01G15/00 J , C01G15/00 Z , C01G15/00 B , C09K11/62 , C09K11/08 G , C09K11/08 A , H01L31/04 320

F-Term (10)：

4H001CA02 , 4H001CC13 , 4H001CF01 , 4H001XA16 , 4H001XA29 , 4H001XA31 , 4H001XA49 , 5F151AA10 , 5F151CB13 , 5F151CB24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

カルコパイライトナノ粒子の製造方法及び光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-027828 Applicant：新日本石油株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学
特許第7892519号
銅インジウム硫化物半導体ナノ粒子及びその調製方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2010-549003 Applicant：バイエル・テクノロジー・サービシーズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

A Large-Scale Synthesis and Characterization of Quaternary CuInxGa1-xS2 Chalcopyrite Nanoparticles v

Return to Previous Page