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J-GLOBAL ID：201603014582783928
Fe-Ga基合金単結晶の育成方法及び育成装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015091284
Publication number (International publication number)：2016028831
Application date： Apr. 28, 2015
Publication date： Mar. 03, 2016
Summary：
【課題】大型の結晶を、化学組成、結晶方位を精度よく、しかも、廉価に製造することができるFe-Ga基合金単結晶及びその育成方法の提供。【解決手段】ルツボを、グラファイト製の外側ルツボ19と、外側ルツボ19内に配置されたアルミナ製の内側ルツボ18とからなる二重ルツボとし、ルツボ内のFe-Ga原料融液300に種結晶210を接触させた後に、種結晶210を引き上げて単結晶200を育成させるFe-Ga基合金単結晶育成方法及び育成装置。或いは、内側ツボ18の材質が窒化ホウ素等の非酸化物系セラミック製であってもよく、これにより、単結晶育成の際にGa酸化物、Ga-Al-O-C化合物等の浮遊物発生が抑制され、浮遊物による結晶の多結晶化や空洞化が防止されるFe-Ga基合金単結晶育成方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ルツボを、外側ルツボと、該外側ルツボ内に配置された内側ルツボとからなる二重ルツボとし、前記外側ルツボの外側に配置した加熱源により加熱を行い、前記内側ルツボ内の原料融液に種結晶を接触させた後に、前記種結晶を引き上げて単結晶を育成させるFe-Ga基合金単結晶の育成方法。
IPC (3)：
B22D 27/04
, C30B 29/52
, C30B 15/10
B22D27/04 D
, C30B29/52
, C30B15/10
4G077AA02
, 4G077BA09
, 4G077CF10
, 4G077EG01
, 4G077EG02
, 4G077HA03
, 4G077HA05
, 4G077PD01
, 4G077PD02
, 4G077PD11
, 4G077PD12
, 4G077PD16
Cited by examiner (7)
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炭素質ルツボの内面保護シート
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-293916
Applicant：東洋炭素株式会社
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特開昭64-018986
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半導体単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-105175
Applicant：コマツ電子金属株式会社
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Article cited by the Patent：
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