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J-GLOBAL ID：201603014758316949

シリコンの製造方法

Inventor： 野平 俊之 ,  萩原 理加 ,  小林 克敏 ,  安田 幸司 ,  鳥羽 哲也 ,  山田 一夫 ,  一坪 幸輝 ,  増田 賢太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学
Agent (1)： 特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012074754
Publication number (International publication number)：2013011012
Patent number：6025140
Application date： Mar. 28, 2012
Publication date： Jan. 17, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、電解還元装置として、電解槽の内面底部にシリコンからなる陰極が配置された電解還元装置を用い、前記シリコンからなる陰極上に二酸化ケイ素を載置させた状態で当該二酸化ケイ素を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。

IPC (2)：

C25B 1/00 ( 200 6.01) ,  C01B 33/023 ( 200 6.01)

FI (2)：

C25B 1/00 Z ,  C01B 33/023

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 太陽電池用シリコンの製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-254809   Applicant：株式会社東芝
• シリコンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-147139   Applicant：国立大学法人京都大学