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J-GLOBAL ID：200903086798204804
シリコンの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
朝日奈 宗太
, 秋山 文男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005147139
Publication number (International publication number)：2006321688
Application date： May. 19, 2005
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：
【課題】本発明は、陰極にシリコンを用いた二酸化ケイ素の電解還元により、陰極由来の不純物の混入がないシリコンの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、該陰極にケイ素酸化物を接触させシリコンを製造する。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、該陰極にケイ素酸化物を接触させることを特徴とするシリコンの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (17)：
4G072AA01
, 4G072GG03
, 4G072HH14
, 4G072HH15
, 4G072HH16
, 4G072MM38
, 4G072RR04
, 4G072RR28
, 4G072UU02
, 4K021AA09
, 4K021BA01
, 4K021BA17
, 4K021BB03
, 4K021BB05
, 4K021DA10
, 4K021DA13
, 4K021DC15
Cited by applicant (1)
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金属および合金粉末ならびに粉末製造
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2002-543034
Applicant：ケンブリッジユニヴァーシティテクニカルサービスイズリミティッド
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
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