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J-GLOBAL ID：201603015766873063

窒化物半導体結晶の製造方法

Inventor：
藤倉 序章

About 藤倉 序章

, 
今野 泰一郎

About 今野 泰一郎

, 
大島 祐一

About 大島 祐一


Applicant, Patent owner：
住友化学株式会社

About 住友化学株式会社


Agent (1)： 龍華国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016086458
Publication number (International publication number)：2016166129
Application date： Apr. 22, 2016
Publication date： Sep. 15, 2016
Summary：
【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。【解決手段】 種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前 記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えなが ら、前記窒化物半導体結晶を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (5)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205
FI (5)：
C30B29/38 D ,  C30B25/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205
F-Term (40)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB13 ,  5F045DA53 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ08 ,  5F045EK06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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