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J-GLOBAL ID：201603017069505300

結晶性積層構造体の製造方法および半導体装置

Inventor： 織田 真也 ,  高塚 章夫 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014195871
Publication number (International publication number)：2016064961
Application date： Sep. 25, 2014
Publication date： Apr. 28, 2016
Summary：

【課題】半値幅が低く、半導体特性に優れたβ-Ga2O3系膜を有する積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】原料溶液24aを微粒子化して生成される原料微粒子をキャリアガス22によって成膜室27に供給して成膜室内27に配置された下地基板20上に、結晶性酸化物薄膜を結晶成長により形成する結晶性積層構造体の製造方法であって、下地基板20が、その表面の一部又は全部にβ-ガリア構造を有する結晶物を主成分として含み、前記結晶性酸化物薄膜が、β-ガリア構造を有する結晶性酸化物β-Ga2O3を主成分として含む、結晶性積層構造体の製造方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子をキャリアガスによって成膜室に供給して前記成膜室内に配置された下地基板上に、結晶性酸化物薄膜を結晶成長により形成する結晶性積層構造体の製造方法であって、前記下地基板が、その表面の一部または全部にβ-ガリア構造を有する結晶物を主成分として含み、前記結晶性酸化物薄膜が、β-ガリア構造を有する結晶性酸化物を主成分として含むことを特徴とする結晶性積層構造体の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/16 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00

FI (3)：

C30B29/16 ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B

F-Term (18)：

4G077AA03 ,  4G077AB08 ,  4G077BB10 ,  4G077CB02 ,  4G077CB08 ,  4G077EA07 ,  4G077EC04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077KA01 ,  4G077KA05 ,  4G077KA07 ,  4G077KA15 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特許第5397794号
  
• ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-164748   Applicant：公立大学法人高知工科大学