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J-GLOBAL ID：201303086034088349

ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法

Inventor：
川原村 敏幸

About 川原村 敏幸


Applicant, Patent owner：
公立大学法人高知工科大学

About 公立大学法人高知工科大学


Agent (1)： 清原 義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011164748
Publication number (International publication number)：2013028480
Application date： Jul. 27, 2011
Publication date： Feb. 07, 2013
Summary：
【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α-Ga2O3薄膜およびその生成方法を提供する。【解決手段】(a)水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫(II)化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、(b)前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、(c)前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、(d)前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α-Ga2O3薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α-Ga2O3薄膜の生成方法とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ドーパントを添加したことを特徴とする結晶性の高い導電性α-Ga2O3薄膜。
IPC (4)：
C30B 29/16 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/368
FI (4)：
C30B29/16 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368 Z
F-Term (56)：
4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BB10 ,  4G077DB08 ,  4G077DB11 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EB01 ,  4G077EC01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG16 ,  4G077EG22 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB01 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TC03 ,  4G077TC04 ,  4G077TC06 ,  4G077TC09 ,  4G077TE01 ,  4G077TH02 ,  4G077TH05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB40 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045DP04 ,  5F045EE02 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053HH01 ,  5F053HH05 ,  5F053KK10 ,  5F053LL02 ,  5F053LL06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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