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J-GLOBAL ID：201603018071737982

圧力センサ及びマイクロフォン

Inventor： 福澤 英明 ,  江波戸 明彦 ,  西村 修 ,  原 通子 ,  湯浅 裕美 ,  藤 慶彦 ,  紀伊 雅之 ,  藤澤 栄蔵
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014245558
Publication number (International publication number)：2015064375
Patent number：5865986
Application date： Dec. 04, 2014
Publication date： Apr. 09, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基体と、 前記基体の上に設けられた第1センサ部と、 処理回路と、 を備え、 前記第1センサ部は、 第1膜面を有する可撓性の第1トランスデュース薄膜と、 前記第1膜面上において前記第1膜面の重心とは異なる位置に設けられ、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた非磁性の第1中間層と、を含む第1歪検知素子と、 前記第1膜面上において前記第1歪検知素子と離間し前記重心とは異なる位置に設けられ、第3磁性層と、第4磁性層と、前記第3磁性層と前記第4磁性層との間に設けられた非磁性の第2中間層と、を含む第2歪検知素子と、 を含み、 前記第1磁性層、前記第1中間層及び前記第2磁性層は、前記第1膜面に対して垂直な方向に並び、 前記第3磁性層、前記第2中間層及び前記第4磁性層は、前記第1膜面に対して垂直な方向に並び、 前記第3磁性層の磁化方向は、前記第1磁性層の磁化方向及び前記第2磁性層の磁化方向の一方に沿い、 前記第4磁性層の磁化方向は、前記第1磁性層の前記磁化方向及び前記第2磁性層の前記磁化方向の他方に沿い、 前記第2歪検知素子は、前記第1歪検知素子と前記第1膜面の縁部に沿って並び、 前記第1歪検知素子と前記重心とを結ぶ直線は、前記第2歪検知素子と前記重心とを結ぶ直線に対して傾斜し、 前記処理回路は、前記第1歪検知素子から得られる第1信号と、前記第2歪検知素子から得られる第2信号と、を加重加算する圧力センサ。

IPC (1)：

G01L 9/16 ( 200 6.01)

FI (1)：

G01L 9/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特許第5701807号
  
• MEMSトランスデューサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-341440   Applicant：ヤマハ株式会社
• 特開昭60-253830
  
• シリコンマイクロフォン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-044589   Applicant：ヤマハ株式会社