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J-GLOBAL ID：201603018779499356

固体撮像装置

Inventor： 碇山 理究 ,  今野 有作 ,  薮原 秀彦 ,  角嶋 邦之 ,  川那子 高暢 ,  若林 整 ,  筒井 一生 ,  岩井 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014188246
Publication number (International publication number)：2016062998
Application date： Sep. 16, 2014
Publication date： Apr. 25, 2016
Summary：

【課題】暗電流の発生を抑制した固体撮像装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体層と、第1絶縁膜と、第1金属酸化膜と、第2金属酸化膜と、第2絶縁膜と、を含む固体撮像装置が提供される。前記半導体層は、光電変換を行う。前記第1絶縁膜は、前記半導体層の上に設けられる。前記第1金属酸化膜は、前記第1絶縁膜の上に設けられる。前記第2金属酸化膜は、前記第1金属酸化膜の上に設けられ、前記第1金属酸化膜とは組成が異なる。前記第2絶縁膜は、前記第2金属酸化膜の上に設けられる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光電変換を行う半導体層と、 前記半導体層の上に設けられた第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜の上に設けられた第1金属酸化膜と、 前記第1金属酸化膜の上に設けられ、前記第1金属酸化膜とは組成の異なる第2金属酸化膜と、 前記第2金属酸化膜の上に設けられた第2絶縁膜と、 を備えた固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/361

FI (3)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 610

F-Term (22)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118CB13 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118HA25 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049SS03