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J-GLOBAL ID：201603019885568991

光起電力素子及びその製造方法

Inventor： 佐藤 大典 ,  矢口 裕之 ,  八木 修平
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学
Agent (2)： 山本 典輝 ,  岸本 達人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014501949
Patent number：5841231
Application date： May. 15, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1半導体材料により形成された第1層、及び、前記第1半導体材料とは異なる第2半導体材料により形成された第2層を備え、 前記第2半導体材料は、その禁制帯中に局在準位又は中間バンドを有し、 前記第1層及び前記第2層が繰り返し積層され、 一対の前記第1層の間に配置された前記第2層を、少なくとも2以上有し、 前記第1半導体材料がGaAsであり、 前記第2半導体材料がGaNxAs1-xであり、且つ、0.003≦x≦0.4であり、 前記第2層の厚さが1.1306nm未満である、光起電力素子。

IPC (1)：

H01L 31/0352 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 31/04 342 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-149364   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 光電変換素子および光電変換方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-230277   Applicant：京セラ株式会社