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J-GLOBAL ID：201603020419474667

半導体基板及びその製造方法、並びにそれに用いる気相成長装置

Inventor：
岡田 成仁

About 岡田 成仁

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只友 一行

About 只友 一行

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山根 啓輔

About 山根 啓輔


Applicant, Patent owner：
国立大学法人山口大学

About 国立大学法人山口大学


Agent (1)： 特許業務法人前田特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015026211
Publication number (International publication number)：2016147787
Application date： Feb. 13, 2015
Publication date： Aug. 18, 2016
Summary：
【課題】反りの小さい半導体基板を製造することができる気相成長法による半導体基板の製造方法及び装置の提供。【解決手段】ベース基板20の法線方向に対して垂直な軸Aを中心としてベース基板20を回動可能に支持する基板支持部12を備え、基板支持部12が、ベース基板20を、一の態様では、一方の主面が原料ガスGに対向し、且つ他の態様では、他方の主面が原料ガスGに対向するように軸Aを中心として反転させるようにした気相成長装置10。ベース基板20の一方の主面に原料ガスを接触させてベース基板20上に半導体を結晶成長させる工程と、ベース基板20の他方の主面に原料ガスを接触させてベース基板20上に半導体を結晶成長させる工程とを含み、2つの工程を交互に行う半導体基板の製造方法。両面に交互に気相成長させるので、ベース基板20及び半導体の熱膨張係数等の物性定数の相違に起因した反りが両面間で相殺された半導体基板。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ベース基板に半導体を気相成長法により結晶成長させて半導体基板を製造する方法であって、 前記ベース基板の一方の主面に原料ガスを接触させて前記ベース基板上に前記半導体を結晶成長させる一の工程と、 前記ベース基板の他方の主面に原料ガスを接触させて前記ベース基板上に前記半導体を結晶成長させる他の工程と、 を含み、 前記一の工程と前記他の工程とを交互に行う半導体基板の製造方法。
IPC (6)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/12 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
FI (6)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C30B25/12 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 G ,  H01L21/205
F-Term (48)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG14 ,  4G077EH01 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TF06 ,  4G077TG02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB11 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA05 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA11 ,  4K030JA12 ,  4K030JA20 ,  4K030KA41 ,  4K030KA45 ,  4K030LA14 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB11 ,  5F045DP04 ,  5F045DP27 ,  5F045DP28 ,  5F045EM10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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