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J-GLOBAL ID：201702211073866041   Reference number：17A0459550

Study of the effect of defects-interaction on character of semi-conductor crystals

欠陥相互作用がIV族半導体結晶の特性に及ぼす影響

Author (6)： KUTSUKAKE KENTARO (東北大 金属材料研) ,  ONO YUTAKA (東北大 金属材料研) ,  DEURA MOMOKO (東北大 金属材料研) ,  GOTO RAIRA (東北大 金属材料研) ,  INOUE KAIHEI (東北大 金属材料研) ,  YONENAGA ICHIRO (東北大 金属材料研)
Material： 東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書
Volume： 2015  Page： 153-154  Publication year： Jun. 2016 
JST Material Number： L3700A  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor ,  silicon ,  Copper ,  *low-angle grain boundary ,  *interaction ,  integration (accumulation) ,  energy balance ,  *lattice defect

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (3)： 欠陥 ,  相互作用 ,  半導体結晶