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J-GLOBAL ID：201702211128224906   Reference number：17A0129129

Development of wafer structure and monolithic integrated GaN-μLED driver circuit for large-scale optoelectronic chip

超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発

Author (9)： TSUCHIYAMA KAZUAKI (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  UTSUNOMIYA SHU (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  NAKAGAWA SHOTA (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  YAMANE KEISUKE (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  SEKIGUCHI HIROTO (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  OKADA HIROSHI (豊橋技科大 エレクトロニクス先端融合研) ,  OKADA HIROSHI (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  WAKAHARA AKIHIRO (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  WAKAHARA AKIHIRO (豊橋技科大 エレクトロニクス先端融合研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 357(CPM2016 90-112)  Page： 79-83  Publication year： Dec. 05, 2016 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： photoelectron ,  semiconductor chip ,  substrate(plate) ,  *semiconductor integrated circuit ,  gallium nitride ,  *light emitting diode ,  driving circuit

JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (8)： 大規模 ,  光電子 ,  融合 ,  モノリシック集積 ,  GaN ,  LED ,  駆動回路 ,  開発