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J-GLOBAL ID：201702214438425234   Reference number：17A1365811

キャリアドープした層状ディラック反強磁性体Eu_1-xGd_xMnBi₂における量子極限近傍のランダウ準位構造

Author (11)： TSURUDA KEIGO (大阪大 大学院) ,  SAKAI HIDEAKI (大阪大 大学院) ,  SAKAI HIDEAKI (JST-PRESTO) ,  MASUDA HIDETOSHI (東大 大学院) ,  ISHIWATA SHINTARO (JST-PRESTO) ,  ISHIWATA SHINTARO (東大 大学院) ,  AKIBA KAZUTO (東大 物性研) ,  MIYAKE ATSUSHI (東大 物性研) ,  TOKUNAGA MASASHI (東大 物性研) ,  MURAKAWA HIROSHI (大阪大 大学院) ,  HANASAKI NORIAKI (大阪大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 72  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.24aB31-8  Publication year： Sep. 25, 2017 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electron system ,  *antiferromagnetism ,  intermetallic compound ,  *bismuth base alloy ,  europium containing alloy ,  manganese containing alloy ,  doping ,  Gadolinium ,  Landau level ,  carrier injection ,  *electrical conductivity ,  magnetic field effect ,  very low temperature ,  *Dirac electron system ,  carrier doping

JST classification (2)： Electronic structure of crystalline metals  (BM02050C) ,  Electronic conduction in crystalline metals  (BM03033M)

Terms in the title (7)： キャリア ,  ドープ ,  層状 ,  反強磁性体 ,  量子極限 ,  近傍 ,  ランダウ準位