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J-GLOBAL ID：201702218109178620   Reference number：17A1727289

Analysis of neutron-induced soft error rates on 28nm FD-SOI and 22nm FinFET latches by the PHITS-TCAD simulation system

PHITS TCADシミュレーションシステムによる28nm FD-SOIと22nm FinFETラッチに及ぼす中性子誘起ソフトエラー率の解析【Powered by NICT】

Author (3)： Furuta Jun (Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology) ,  Umehara Shigehiro (Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology) ,  Kobayashi Kazutoshi (Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2017  Issue： SISPAD  Page： 185-188  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： FinFET and FD-SOI processes re...

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Thesaurus term： three dimension ,  radioactive ray ,  *neutron ,  bistable circuit ,  SEU ,  *simulation
Semi thesaurus term： *ソフトエラー率 ,  *FinFET ,  *シミュレーションシステム ,  *TCAD ,  *PHITS , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (9)： PHITS ,  TCAD ,  シミュレーションシステム ,  SOI ,  FinFET ,  中性子 ,  誘起 ,  ソフトエラー率 ,  解析