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J-GLOBAL ID：201702218573611836   Reference number：17A0550590

ミストCVD法により作製したZnO膜の発光特性の成膜速度依存性

Author (4)： NAKADA KATSUYA (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  KANNO TAKESHI (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  FUKADA HARUKI (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  YAMAGUCHI ATSUSHI (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16p-P7-22  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,  zinc oxide ,  compound semiconductor ,  *characteristic ,  *rate of sedimentation ,  velocity dependence ,  *thin film ,  thin film growth ,  spectrum ,  photoluminescence ,  oxide semiconductor ,  *emission characteristic ,  deposition rate ,  mist CVD ,  *ZnO film
Semi thesaurus term： mist chemical vapor deposition method ,  *ZnO thin film ,  photoluminescence spectrum ,  photoluminescence

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： ミストCVD法 ,  作製 ,  ZnO ,  発光特性 ,  成膜速度 ,  依存性