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J-GLOBAL ID：201702222080456941   Reference number：17A1456401

Effect of back-surface roughness of sapphire substrate on growth of GaN thin films

GaN薄膜の成長に及ぼすサファイア基板の裏面粗さの影響【Powered by NICT】

Author (3)： Aida Hideo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, Japan) ,  Kim Seong-woo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, Japan) ,  Suzuki Toshimasa (Nippon Institute of Technology, 4-1 Gakuendai, Saitama 345-8501, Japan)
Material： Precision Engineering  (Precis Eng)
Volume： 50  Page： 142-147  Publication year： 2017 
JST Material Number： A0734B  ISSN： 0141-6359  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The change in the full width a...

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Thesaurus term： rocking curve ,  X-ray ,  concave surface ,  FWHM ,  *gallium nitride ,  curvature ,  *sapphire ,  wavelength ,  high temperature ,  *thin film ,  convexity ,  X-ray diffraction ,  deflection(material phenomenon)
Semi thesaurus term： 湾曲 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： Sapphire substrate ,  Bowing ,  GaN epitaxy ,  X-ray rocking curve

JST classification (5)： Grinding  (QC03000R) ,  Grinding and abrasion materials  (YC06020Q) ,  Special machining  (QC04000Y) ,  Other surface treatment  (WC08070F) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： GaN ,  薄膜 ,  成長 ,  サファイア基板 ,  粗さ