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J-GLOBAL ID：201702224492923575   Reference number：17A1003312

Polarized Raman spectra of BaSi₂ epitaxial film grown by molecular beam epitaxy

分子線エピタキシー法により成長したBaSi₂エピタキシャル膜の偏光Ramanスペクトル

Author (7)： TERAI Yoshikazu (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  TERAI Yoshikazu (Kagoshima Univ., Kagoshima, JPN) ,  YAMAGUCHI Haruki (Kagoshima Univ., Kagoshima, JPN) ,  TSUKAMOTO Hiroaki (Kagoshima Univ., Kagoshima, JPN) ,  MURAKOSO Naoki (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  IINUMA Motoki (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 5S1  Page： 05DD02.1-05DD02.4  Publication year： May. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,  *thin film growth ,  *silicide ,  *barium compound ,  thin film ,  *Raman spectrum ,  wafer ,  rotation ,  cluster ,  mode ,  *barium silicide ,  epitaxial film ,  *polarized Raman spectrum ,  crystal rotation ,  Si wafer
Semi thesaurus term： *molecular beam epitaxy ,  silicon substrate

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Infrared and Raman spectra of inorganic molecules  (BH06032B)

Reference (32)：

• D. B. Migas, V. L. Shaposhnikov, and V. E. Borisenko, Phys. Status Solidi B 244, 2611 (2007).
• K. Toh, T. Saito, and T. Suemasu, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 068001 (2011).
• M. Kumar, N. Umezawa, and M. Imai, J. Appl. Phys. 115, 203718 (2014).
• M. Kumar, N. Umezawa, and M. Imai, Appl. Phys. Express 7, 071203 (2014).
• M. Baba, K. Toh, K. Toko, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Jiptner, T. Sakiguchi, K. O. Hara, N. Usami, and T. Suemasu, J. Cryst. Growth 348, 75 (2012).

Terms in the title (4)： 分子線エピタキシー法 ,  成長 ,  エピタキシャル膜 ,  偏光Ramanスペクトル