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J-GLOBAL ID：201702226686724180   Reference number：17A1390949

磁場-パルスプラズマ援用化学気相成長法を用いたa-SiCN隔膜に対するパルスパラメータ変化が及ぼす影響

Author (3)： MURANO MASANORI (近畿大) ,  MATSUTANI TAKAOMI (近畿大) ,  KAWASAKI TADAHIRO (ファインセラミックスセ)
Material： 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集(CD-ROM)  (電気学会基礎・材料・共通部門大会(CD-ROM))
Volume： 2017  Page： ROMBUNNO.19-P-19  Publication year： Sep. 19, 2017 
JST Material Number： L3783B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  silicon carbide ,  diaphragm (membrane) ,  plasma ,  magnetic field ,  pulse ,  parameter ,  *transmission electron microscope

JST classification (2)： Vapor plating  (WC08022K) ,  Electron and ion microscopes  (BD02050B)

Terms in the title (7)： 磁場 ,  パルスプラズマ ,  援用 ,  化学気相成長法 ,  隔膜 ,  パルス ,  パラメータ