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J-GLOBAL ID：201702229503304743   Reference number：17A1364419

n型強磁性半導体(In,Fe)Asの電子構造に対するBe添加効果

Author (13)： KOBAYASHI MASAKI (東大 院CSRN) ,  KOBAYASHI MASAKI (東大 大学院) ,  KIUCHI HISAO (東大 大学院) ,  NIWA HIDEHARU (東大 大学院) ,  MIYAWAKI JUN (ISSP) ,  FUJIMORI ATSUSHI (東大 大学院) ,  ANH Le Duc (東大 大学院) ,  HAI Pham Nam (東大 院CSRN) ,  HAI Pham Nam (東京工大 工) ,  TANAKA MASAAKI (東大 院CSRN) ,  TANAKA MASAAKI (東大 大学院) ,  OSHIMA MASAHARU (東大 大学院) ,  HARADA YOSHIHISA (ISSP)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 72  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.22aB21-1  Publication year： Sep. 25, 2017 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ferromagnetic semiconductor ,  *electronic structure ,  *beryllium additive alloy ,  *X-ray spectrum ,  *spectral line shift ,  *Raman shift
Semi thesaurus term： resonant inelastic X-ray scattering spectrum

JST classification (3)： Magnetic properties of inorganic compounds  (BM06060P) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Terms in the title (5)： 強磁性半導体 ,  Fe ,  電子構造 ,  Be ,  添加効果