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J-GLOBAL ID：201702239222656484   Reference number：17A0229888

Device Characteristics and Mechanical Flexibility Simulation of Plasma-Polymer Gate Dielectrics Based Organic Thin Film Transistors

プラズマ-ポリマーゲート誘電体を用いた有機薄膜トランジスタの素子特性と機械的柔軟性シミュレーション

Author (5)： SEO Hyeon Jin (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  CHO Sang-Jin (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM H. (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Youn-Jea (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  BOO Jin-Hyo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
Material： Science of Advanced Materials  (Sci Adv Mater)
Volume： 8  Issue： 3  Page： 665-668  Publication year： Mar. 2016 
JST Material Number： W2374A  ISSN： 1947-2935  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  *gate dielectric film ,  *plasma CVD ,  polyimide ,  gate(semiconductor) ,  flexibility ,  carrier mobility ,  voltage ,  characteristic ,  cycloalkane ,  polyacene
Semi thesaurus term： *PECVD ,  *gate dielectric ,  bottom gate ,  field effect mobility ,  deformation characteristic ,  *organic thin-film transistor ,  threshold voltage

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Substance index (2)： Cyclohexane ,  Pentacene

Terms in the title (6)： プラズマ ,  ポリマー ,  ゲート誘電体 ,  有機薄膜トランジスタ ,  素子特性 ,  シミュレーション