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J-GLOBAL ID：201702242658396132   Reference number：17A1810248

Purification of 1.9-nm-diameter semiconducting single-wall carbon nanotubes by temperature-controlled gel-column chromatography and its application to thin-film transistor devices

温度制御ゲルコラムクロマトグラフィによる1.9nm直径半導体単一壁カーボンナノチューブの精製および薄膜トランジスタデバイスへの応用

Author (6)： THENDIE Boanerges (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OMACHI Haruka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIROTANI Jun (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Yutaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYATA Yasumitsu (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  SHINOHARA Hisanori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 6  Page： 065102.1-065102.8  Publication year： Jun. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  *single-walled carbon nanotube ,  size effect ,  *purification ,  carrier mobility ,  electrical conductivity
Semi thesaurus term： *TFT ,  *single-walled carbon nanotube ,  *SWCNT ,  scale effect ,  channel mobility

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (60)：

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Terms in the title (6)： 温度制御 ,  直径 ,  単一壁カーボンナノチューブ ,  精製 ,  薄膜トランジスタ ,  応用