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J-GLOBAL ID：201702245485056502   Reference number：17A1144034

Low-energy magnetoelectric control of domain states in exchange-coupled heterostructures

交換結合へテロ構造におけるドメイン状態の低エネルギー磁気電気制御

Author (6)： AL-MAHDAWI Muftah (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  PATI Satya Prakash (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIOKAWA Yohei (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YE Shujun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NOZAKI Tomohiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAHASHI Masashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Physical Review. B  (Physical Review. B. Covering Condensed Matter and Materials Physics)
Volume： 95  Issue： 14  Page： 144423.1-144423.9  Publication year： Apr. 2017 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *antiferromagnet ,  *binding and coupling ,  *device structure ,  *magnetization reversal ,  electromagnetic energy ,  *barrier ,  *magnetic domain ,  *switching ,  *chromium oxide ,  sputtered deposition ,  *hetero-structure
Semi thesaurus term： *exchange coupling ,  *energy barrier

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Magnetic properties of oxides  (BM06050E)

Terms in the title (6)： 交換結合 ,  テロ ,  ドメイン ,  低エネルギー ,  磁気 ,  電気制御