Art

J-GLOBAL ID：201702245486244191   Reference number：17A0327600

Sn薄膜を用いたCuの固液反応拡散接合における接合部品質に及ぼす諸因子の検討

Author (5)： KIZAWA TOSHINARI (大阪大 大学院工学研究科) ,  FUKUMOTO SHINJI (大阪大 大学院工学研究科) ,  MATSUSHIMA MICHIYA (大阪大 大学院工学研究科) ,  HOKAZONO HIROAKI (富士電機) ,  FUJIMOTO KOZO (大阪大 大学院工学研究科)
Material： Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics  (Proceedings of the Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics)
Volume： 23rd  Page： 145-150  Publication year： Jan. 31, 2017 
JST Material Number： L2496A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *tin ,  *metallic thin film ,  Copper ,  *solid-liquid interface ,  *heterogeneous reaction ,  *diffusion bonding ,  *pore ,  *intermetallic compound ,  *reaction kinetics ,  ratio ,  *joint (part) ,  heating temperature ,  temperature dependence ,  growth rate ,  theory ,  warming ,  TTT curve ,  *flaw inspection ,  lattice defect ,  tin plating ,  plating film ,  heating velocity ,  temperature distribution ,  *factor analysis ,  reaction at solid-liquid interface ,  defect formation
Semi thesaurus term： heating rate ,  growth kinetics ,  heating rate

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (6)： Sn ,  薄膜 ,  Cu ,  拡散接合 ,  接合部 ,  因子