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J-GLOBAL ID：201702254655326656   Reference number：17A1223480

Threshold-voltage bias-temperature instability in commercially-available SiC MOSFETs

商業的に入手可能なSiC MOSFETにおける閾値電圧バイアス-温度不安定性

Author (3)： GREEN Ron (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  LELIS Aivars (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  HABERSAT Daniel (U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 4S  Page： 04EA03.1-04EA03.7  Publication year： Apr. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *voltage ,  *silicon carbide ,  *MOSFET ,  *power transistor ,  *instability ,  consumer goods ,  product ,  electron capture ,  surface level ,  review
Semi thesaurus term： *threshold voltage ,  *power MOSFET ,  *bias temperature instability ,  marketed commodity

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (35)：

• A. J. Lelis, D. Habersat, G. Lopez, J. M. McGarrity, F. B. McLean, and N. Goldsman, Mater. Sci. Forum 527-529, 1317 (2006).
• A. J. Lelis, R. Green, D. Habersat, and M. El, IEEE Trans. Electron Devices 62, 316 (2015).
• M. Gurfinkel, H. D. Xiong, K. P. Cheung, J. S. Suehle, J. B. Bernstein, Y. Shapira, A. J. Lelis, D. Habersat, and N. Goldsman, IEEE Trans. Electron Devices 55, 2004 (2008).
• T. Okayama, S. D. Arthur, J. L. Garrett, and M. V. Rao, Solid-State Electron. 52, 164 (2008).
• M. J. Tadjer, K. D. Hobart, E. Imhoff, and F. J. Kub, Mater. Sci. Forum 600-603, 1147 (2009).

Terms in the title (7)： 商業 ,  入手 ,  SiC ,  MOSFET ,  閾値電圧 ,  バイアス ,  不安定性