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J-GLOBAL ID：201702255804021263   Reference number：17A0549983

GaN自立基板上にホモエピタキシャル成長したp-GaN膜の電気的評価

Author (1)： NAKANO YOSHITAKA (中部大 工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16a-P4-3  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *substrate (plate) ,  *homoepitaxy ,  *P-type semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  circuit characteristic ,  *spectroscopy ,  *MOCVD ,  *defect level ,  *depth distribution ,  *acceptor ,  impurity concentration
Semi thesaurus term： *自立基板 ,  normally off ,  光容量過渡分光法

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： GaN ,  自立 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  評価