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J-GLOBAL ID：201702257276146306   Reference number：17A0547868

VB,FZ,EFG法によるβ-Ga₂O₃単結晶の光吸収,電気的特性評価

Author (4)： NAKAMURA TAKAHIRO (信州大 工) ,  UCHIYAMA YUTA (信州大 工) ,  TAISHI TOSHINORI (信州大 工) ,  HOSHIKAWA KEIGO (信州大 工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.14p-502-3  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  single crystal ,  Bridgman method ,  floating zone melting ,  liquid phase growth ,  *optical absorption ,  *electrical property ,  transmissivity ,  Hall effect ,  carrier density
Semi thesaurus term： vertical Bridgman method ,  floating zone technique ,  EFG method ,  *electrical property ,  light transmittance ,  carrier concentration

JST classification (4)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Crystal growth of oxides  (BK13050I)

Terms in the title (6)： EFG法 ,  β-Ga2O3 ,  単結晶 ,  光吸収 ,  電気的特性 ,  評価