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J-GLOBAL ID：201702259697318582   Reference number：17A0955386

Quantification of C in Si by photoluminescence at liquid N temperature after electron irradiation

Si中炭素に関する電子照射後の液体窒素温度での光ルミネセンスによる定量

Author (4)： TAJIMA Michio (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  KIUCHI Hirotatsu (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  HIGUCHI Fumito (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 10  Issue： 4  Page： 046602.1-046602.3  Publication year： Apr. 2017 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *impurity ,  carbon ,  *electron irradiation ,  *photoluminescence ,  low temperature ,  spectral linewidth ,  Czochralski method ,  impurity concentration ,  spectroscopy ,  spectrometer(optical)
Semi thesaurus term： liquid nitrogen temperature ,  liquid helium temperature

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Reference (20)：

• K. Takano, A. Kiyoi, and T. Minato, Proc. 27th Int. Symp. Power Semicond. Devices & IC's (ISPSD), 2015, p. 129.
• T. Kojima, R. Suzuki, K. Kinoshita, K. Nakamura, A. Ogura, Y. Ohshita, E. Nishijima, I. Masada, N. Iida, and S. Tachibana, PVSEC-26, 2016, Abstr. No. 2.1.1e.
• R. C. Newman and J. B. Willis, J. Phys. Chem. Solids 26, 373 (1965).
• JEITA EM-3503 (2002).
• SEMI MF-1391-1107 (2004).

Terms in the title (6)： Si ,  炭素 ,  電子照射 ,  液体窒素温度 ,  光ルミネセンス ,  定量