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J-GLOBAL ID：201702266728489875   Reference number：17A0953255

InP/InGaAs Fermi-level managed barrier diode for broadband and low-noise terahertz-wave detection

広帯域・低ノイズテラヘルツ波検出用InP/InGaAsフェルミ準位管理障壁ダイオード

Author (2)： ITO Hiroshi (Kitasato Univ., Sagamihara, JPN) ,  ISHIBASHI Tadao (NTT Electronics Techno Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 1  Page： 014101.1-014101.7  Publication year： Jan. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,  indium gallium arsenide ,  *diode ,  Fermi level ,  detection ,  *terahertz wave ,  potential barrier ,  height ,  sensitivity(ratio) ,  performance ,  ability ,  current-voltage characteristic ,  signal detector ,  *signal detection
Semi thesaurus term： terahertz wave detection ,  barrier height ,  detectivity

JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Reference (46)：

• A. J. M. Kreisler, Proc. SPIE 666, 51 (1986).
• H.-W. Hübers, G. W. Schwaab, and H. P. Röser, J. Appl. Phys. 75, 4243 (1994).
• A. Rogalski and F. Sizov, Opto-Electron. Rev. 19, 346 (2011).
• F. Sizov, V. Petriakov, V. Zabudsky, D. Krasilnikov, M. Smoliy, and S. Dvoretski, Appl. Phys. Lett. 101, 082108 (2012).
• M. Sakhno, A. Golenkov, and F. Sizov, J. Appl. Phys. 114, 164503 (2013).

Terms in the title (8)： 広帯域 ,  低ノイズ ,  テラヘルツ波検出 ,  InP ,  InGaAs ,  フェルミ準位 ,  障壁 ,  ダイオード