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J-GLOBAL ID：201702270167928368   Reference number：17A0033342

CF₄プラズマ処理したn-GaN膜の電気的ダメージ

Author (3)： NAKANO YOSHITAKA (中部大) ,  NIIBE MASAHITO (兵庫県大) ,  KAWAKAMI RETSUO (徳島大)
Material： 真空に関する連合講演会講演予稿集
Volume： 57th  Page： 129  Publication year： Nov. 29, 2016 
JST Material Number： L1308A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *plasma treatment ,  plasma etching ,  ion irradiation ,  *electrical property ,  deep level transient spectroscopy ,  density functional method ,  *electronic structure ,  defect level ,  nitride semiconductor ,  damage assessment ,  III-V semiconductor
Semi thesaurus term： GAN ,  III-V compound semiconductor ,  isothermal capacitance transient spectroscopy ,  GGA(approximation)

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (3)： プラズマ処理 ,  GaN ,  ダメージ