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J-GLOBAL ID：201702270361176919   Reference number：17A0863954

Fabrication and evaluation of low temperature solution processed IGZO thin film transistor with low rare metal composition

低In,Ga領域における低湿塗布プロセスIGZO薄膜トランジスタの作製と評価

Author (5)： KUDO KAZUHIRO (千葉大) ,  TANAKA HIKARU (千葉大) ,  YAMAUCHI HIROSHI (千葉大) ,  OKADA YUGO (千葉大) ,  SAKAI MASATOSHI (千葉大)
Material： 電気学会誘電・絶縁材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
Volume： DEI-17  Issue： 63-71  Page： 29-32  Publication year： Jun. 29, 2017 
JST Material Number： Z0908B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium compound ,  *zinc compound ,  *indium oxide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *thin film transistor ,  semiconductor process ,  low temperature ,  flexible circuit board ,  ultraviolet radiation ,  ozonation
Semi thesaurus term： *IGZO(semiconductor) ,  low temperature process ,  flexible device

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： Ga ,  塗布プロセス ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  作製 ,  評価