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J-GLOBAL ID：201702275401986276   Reference number：17A0930045

Characterization of Photoluminescence and Surface Chemistry after Annealing about Si:SiO₂ Films Fabricated by Radio Frequency Sputtering

高周波スパッタリング法により作製したSi:SiO₂膜のアニール後のフォトルミネセンスと表面化学の特徴づけ

Author (2)： TANAKA Koichi (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN) ,  YOSHIDA Taichi (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN)
Material： Key Engineering Materials  (Key Eng Mater)
Volume： 698  Page： 13-18  Publication year： 2016 
JST Material Number： D0744C  ISSN： 1013-9826  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *nano crystal ,  *silicon dioxide ,  *thin film ,  *photoluminescence ,  RF sputtering ,  gas laser ,  Cadmium ,  Helium ,  excitation (physics) ,  ultraviolet and visible emission spectrum ,  annealing (heat treatment) ,  FTIR spectroscopy ,  surface chemistry ,  temperature dependence ,  radiant intensity ,  He-Cd laser ,  nanocrystalline silicon
Semi thesaurus term： silicon nanocrystal ,  photoluminescence ,  radio frequency sputtering ,  surface chemistry

JST classification (2)： Thin films in general  (BK14010X) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： 高周波スパッタリング ,  作製 ,  Si ,  SiO2 ,  アニール ,  フォトルミネセンス ,  表面化学