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J-GLOBAL ID：201702277867390858   Reference number：17A1138847

光照射下での金属/フラーレン界面における蓄積電荷測定

Author (9)： OTSUKA MASATO (兵庫県大 院) ,  TANIMURA TOSHIAKI (兵庫県大 院) ,  OGINO AKINARI (兵庫県大 院) ,  KADOYA TOMOFUMI (兵庫県大 院) ,  SATO SEIICHI (兵庫県大 院) ,  YOKOMATSU TOKUJI (兵庫県大 院) ,  MAENAKA KAZUSUKE (兵庫県大 院) ,  YAMADA JUN'ICHI (兵庫県大 院) ,  TAJIMA HIROYUKI (兵庫県大 院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.5p-PA3-3  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *photoirradiation ,  *metal ,  *fullerene ,  *interface (surface) ,  *electrical measurement ,  *electric charge ,  *carrier injection ,  *metal-semiconductor junction ,  *Schottky barrier ,  *tunnel effect ,  vacuum deposition ,  organic semiconductor ,  electrode ,  silicon dioxide ,  charge measurement ,  Schottky Junction ,  metal electrode
Semi thesaurus term： 蓄積電荷 ,  charge injection ,  ITO electrode

JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： 光照射 ,  フラーレン ,  界面 ,  蓄積 ,  電荷測定