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J-GLOBAL ID：201702277943065047   Reference number：17A1390944

ヘリウム入射イオンエネルギーのパルス的変化がタングステンナノ構造成長に与える影響

Author (6)： KAWAGUCHI SHOTA (名大 院) ,  KAJITA SHIN (名大 未来研) ,  HWANGBO Dogyun (名大 院) ,  ONO NORIYASU (名大 院) ,  TANAKA HIROHIKO (名大 院) ,  MASUZAKI SUGURU (核融合研)
Material： 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集(CD-ROM)  (電気学会基礎・材料・共通部門大会(CD-ROM))
Volume： 2017  Page： ROMBUNNO.19-P-14  Publication year： Sep. 19, 2017 
JST Material Number： L3783B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： Tungsten ,  nanostructure ,  *sputtering ,  incidence ,  energy ,  ion ,  pulse ,  *thin film growth

JST classification (1)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Terms in the title (6)： ヘリウム ,  イオンエネルギー ,  パルス ,  タングステン ,  ナノ構造 ,  成長