Art

J-GLOBAL ID：201702279576809017   Reference number：17A1359911

Performance and electrostatic improvement by high-pressure anneal on Si-passivated strained Ge pFinFET and gate all around devices with superior NBTI reliability

すべての優れたNBTI信頼性を有する装置周辺のSiで不活性化した歪んだGe pFinFETとゲートに及ぼす高圧アニールによる性能と静電改善【Powered by NICT】

Author (16)： Arimura H. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Witters L. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Cott D. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Dekkers H. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Loo R. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Mitard J. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Ragnarsson L.-A. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Wostyn K. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Boccardi G. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Chiu E. (Poongsan, Sunnyvale CA, USA) ,  Subirats A. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Favia P. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Vancoille E. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  De Heyn V. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Mocuta D. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2017  Issue： VLSI Technology  Page： T196-T197  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This paper shows high-pressure...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A1359911&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

Thesaurus term： *silicon ,  work function ,  passivation ,  interface(surface) ,  channel ,  *reliability(property) ,  Q-value ,  *high pressure ,  *annealing(heat treatment) ,  optimization
Semi thesaurus term： チタンアルミニウム合金 ,  正孔移動度 ,  ゲートオールアラウンド ,  *FinFET ,  *NBTI , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： NBTI ,  周辺 ,  Si ,  不活性化 ,  Ge ,  ゲート ,  高圧 ,  アニール