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J-GLOBAL ID：201702281664928905   Reference number：17A1276925

World-first electronic imaging of subcritical slip growth in single crystal silicon under fatigue loading

疲労荷重下の単結晶シリコン中の亜臨界滑り成長の世界初の電子イメージング【Powered by NICT】

Author (4)： Kamiya Shoji (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Kongo Akira (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Sugiyama Hiroko (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Izumi Hayato (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2017  Issue： TRANSDUCERS  Page： 1229-1232  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Silicon slips under repeated l...

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Thesaurus term： *image processing ,  image ,  PN junction ,  *fatigue load ,  electron beam ,  *cargo ,  compressive stress ,  electric current ,  fatigue fracture ,  electron beam induced current ,  stress concentration ,  surface oxidation ,  field emission scanning electron microscope ,  slip deformation ,  *monocrystal silicon

JST classification (1)： Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (6)： 疲労荷重 ,  単結晶シリコン ,  亜臨界 ,  世界 ,  電子 ,  イメージング