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J-GLOBAL ID：201702281731210285   Reference number：17A1065569

Theoretical Study of Cu Intercalation through a Defect in Zero-Layer Graphene on SiC Surface

SiC表面上のゼロ層グラフェンの欠陥を通じるCuのインターカレーションに関する理論的研究

Author (7)： ORIMOTO Yuuichi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OTSUKA Kohei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  YAGYU Kazuma (Fukuoka Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOCHIHARA Hiroshi (Fukuoka Univ., Fukuoka, JPN) ,  SUZUKI Takayuki (Fukuoka Univ., Fukuoka, JPN) ,  AOKI Yuriko (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AOKI Yuriko (JST-CREST, Saitama, JPN)
Material： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C. Energy Conversion and Storage, Optical and Electronic Devices, Interfaces, Nanomaterials, and Hard Matter)
Volume： 121  Issue： 13  Page： 7294-7302  Publication year： Apr. 06, 2017 
JST Material Number： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *graphene ,  *monolayer ,  *copper ,  *intercalation ,  osmosis ,  surface structure ,  defect ,  *density functional method
Semi thesaurus term： *monolayer

JST classification (2)： Surface chemistry in general  (CB12010J) ,  Surface structure of solids in general  (BK15010E)

Terms in the title (7)： SiC ,  グラフェン ,  欠陥 ,  Cu ,  インターカレーション ,  理論 ,  研究