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J-GLOBAL ID：201702283330022996   Reference number：17A0742678

MoS₂ transistors with 1-nanometer gate lengths

ゲート長が1nmのMoS₂トランジスタ

Author (19)： DESAI Sujay B. (Univ. California, CA, USA) ,  DESAI Sujay B. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  MADHVAPATHY Surabhi R. (Univ. California, CA, USA) ,  MADHVAPATHY Surabhi R. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  SACHID Angada B. (Univ. California, CA, USA) ,  SACHID Angada B. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LLINAS Juan Pablo (Univ. California, CA, USA) ,  LLINAS Juan Pablo (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  WANG Qingxiao (Univ. Texas at Dallas, TX, USA) ,  AHN Geun Ho (Univ. California, CA, USA) ,  AHN Geun Ho (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  PITNER Gregory (Stanford Univ., CA, USA) ,  KIM Moon J. (Univ. Texas at Dallas, TX, USA) ,  BOKOR Jeffrey (Univ. California, CA, USA) ,  BOKOR Jeffrey (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  HU Chenming (Univ. California, CA, USA) ,  WONG H.-S. Philip (Stanford Univ., CA, USA) ,  JAVEY Ali (Univ. California, CA, USA) ,  JAVEY Ali (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
Material： Science
Volume： 354  Issue： 6308  Page： 99-102  Publication year： Oct. 07, 2016 
JST Material Number： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *molybdenum sulfide ,  gate(semiconductor) ,  *transistor ,  leakage current ,  tunnel effect ,  electron microscopy ,  CAD ,  *current-voltage characteristic ,  electric current ,  voltage
Semi thesaurus term： *molybdenum disulfide ,  TCAD ,  drain current ,  gate voltage

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： ゲート長 ,  MoS2 ,  トランジスタ