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J-GLOBAL ID：201702292067524899   Reference number：17A0776297

吸引プラズマエッチング法を用いたSiO₂ダイアフラム構造作製技術の開発

Author (9)： KANO RYO (千葉工業大学工学部機械電子創成工学科) ,  KANO RYO (産業技術総合研究所) ,  SUGA HIROSHI (千葉工業大学工学部機械電子創成工学科) ,  SHIMBORI SHUN'ICHIRO ((株)三友製作所テクノセンタ) ,  TAKAHASHI SATOSHI ((株)三友製作所テクノセンタ) ,  KUBO TOSHITAKA (産業技術総合研究所) ,  ANDO ATSUSHI (産業技術総合研究所) ,  SHIMIZU TETSUO (産業技術総合研究所) ,  MIYAWAKI JUN (産業技術総合研究所)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 60  Issue： 4  Page： 148-152(J-STAGE)  Publication year： 2017 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma etching ,  *silicon dioxide ,  *diaphragm(machine element) ,  *production technology ,  semiconductor thin film ,  thermal oxidation ,  pressure sensor ,  acoustic wave sensor ,  MEMS ,  machining speed ,  light ,  monitoring ,  precision machining ,  *suction
Semi thesaurus term： *making technology ,  silicon thin film ,  ultrasonic sensor ,  Micro Electro Mechanical System device ,  etch rate ,  transmitted light ,  monitoring ,  *suction

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (10)：

• 1) S. Shimbori, Y. Shirayama, T. Kawakami, S. Yokosuka, K. Kashimura, T. Wataya, T. Shimizu, Y. Naitoh and H. Tokumoto: J. Vac. Soc. Jpn., 53 (2010) 234.
• 2) C. Iwase, Y. Shirayama, S. Yokosuka, K. Kashimura, A. Hayashi, S. Shimbori, T. Horie, H. Tokumoto, Y. Naitoh and T. Shimizu: J. Vac. Soc. Jpn., 55 (2012) 176.
• 3) S. Takahashi, T. Horie, Y. Shirayama, S. Yokosuka, K. Kashimura, A. Hayashi, C. Iwase, S. Shimbori, H. Tokumoto, Y. Naitoh and T. Shimizu: J. Vac. Soc. Jpn., 55 (2012) 171.
• 4) J. Miyawaki, T. Kubo, A. Ando, S. Takahashi, S. Shimbori, H. Tokumoto and T. Shimizu: Vacuum, 121 (2015) 300.
• 5) J. Miyawaki et al., in preparation.

Terms in the title (6)： 吸引 ,  プラズマエッチング ,  SiO2 ,  ダイアフラム構造 ,  作製 ,  開発